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マイクロデバイス開発支援センターのご案内
マイクロデバイス開発支援センターでは、
『はじめてMEMSデバイスを開発したい。アイデアはあるが、MEMSデバイスの試作開発にお困りの方』
『高機能性薄膜の作製をしたい。アイデアはあるが、作製装置や作製方法にお困りの方』
・・・
そんな、みなさまへのお手伝いをいたします！
マイクロデバイス開発支援センターのパンフレットはこちらからダウンロード可能です。
マイクロデバイス開発支援センターへのご連絡は，地方独立行政法人大阪産業技術研究所の総合受付までお願いいたします。
・ 電 話 ： ０７２５－５１－２５２５ （ 総合受付 ： 9:00～17:30 ）
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update 2025/4/24
当研究部電子デバイス研究室の山根 秀勝 研究員、山田義春 主幹研究員、近藤 裕佑 主任研究員、村上 修一 研究室長が第16回集積化MEMSシンポジウム 優秀ポスター賞を受賞しました。
受賞内容：シリコンフォトニック結晶を用いたテラヘルツWR-2.2向け全波長帯域半波長板
大阪大学大学院基礎工学研究科の冨士田誠之先生らとの共同研究の成果について大阪大学より
「６Gやその先の大容量通信に向けたブレイクスルー
ー「偏波」の制御で小型デバイスのテラヘルツ通信容量を倍に！―」
の内容で報道提供がありました。
当研究所 電子デバイス研究室の 村上修一 室長、山田義春 主任研究員、近藤裕佑 主任研究員、山根秀勝 研究員により、
高抵抗シリコン基板を使ったMEMS微細加工技術によりデバイス開発を行い、またデバイス性能のシリコン形状依存性を数値計算により明らかにしました。
ORIST 【報道提供】６Gやその先の大容量通信に向けたブレイクスルー
山根 秀勝 研究員が第４回 プラズモニック化学研究会 若手奨励賞を受賞しました。
受賞内容：ナノスケールにおけるプラズモンと分子・ナノ粒子の相互作用に関する理論的研究
村上修一 研究室長（電子デバイス研究室）が
応用物理学会関西支部より第15回関西支部貢献賞を授与されました。
受賞内容：MEMS技術による関西企業のセンサ開発支援と技術者育成
