マイクロデバイス開発支援センターのご案内

大阪大学大学院基礎工学研究科の冨士田誠之先生らとの共同研究の成果について大阪大学より
「６Gやその先の大容量通信に向けたブレイクスルー
ー「偏波」の制御で小型デバイスのテラヘルツ通信容量を倍に！―」
の内容で報道提供がありました。
当研究所 電子デバイス研究室の 村上修一 室長、山田義春 主任研究員、近藤裕佑 主任研究員、山根秀勝 研究員により、
高抵抗シリコン基板を使ったMEMS微細加工技術によりデバイス開発を行い、またデバイス性能のシリコン形状依存性を数値計算により明らかにしました。
ORIST 【報道提供】６Gやその先の大容量通信に向けたブレイクスルー

山根 秀勝 研究員が第４回 プラズモニック化学研究会 若手奨励賞を受賞しました。
受賞内容：ナノスケールにおけるプラズモンと分子・ナノ粒子の相互作用に関する理論的研究

村上修一 研究室長（電子デバイス研究室）が
応用物理学会関西支部より第15回関西支部貢献賞を授与されました。
受賞内容：MEMS技術による関西企業のセンサ開発支援と技術者育成

マイクロデバイス開発をサポートする装置群の一部をご紹介いたします。
装置群を①成膜、②パターニング、③加工、④評価の4グループに
分類して表示しています。
装置の写真をクリックしていただくと、装置の概要が表示されます。

①　成膜
　　マグネトロンスパッタ装置　半導体デバイス製造用スパッタ装置　
　　　　        

　　スパッタ装置　　　　　　　多機能真空蒸着装置
　　　　　　　

　　半導体熱処理装置　　　　　真空蒸着装置
　　　　　　　

②　パターニング
　　フォトマスク作製装置　　両面マスクアライナー　マスクホルダー　　　　基板ステージ
　　　（マスクレス露光装置）　　　　　　　　　　　　　　　　保有治具一覧↓　　　　　保有治具一覧↓
　　　　　　

 　　クリーンルーム
　　


③　加工
　　高速シリコンディープエッチング　RIE(イオンビームエッチング)
　 　　　　　　

　　ICP-RIE   　　　　　　　　　　　ダイサー
　　　　　　　　　　　

　　超音波ボンダ
　　

④　評価
　　強誘電体特性評価装置　　　分光エリプソメーター
　　　　　　　　　

　　磁気特性測定装置　　　　 　　ガウスメーター
　　　　　　　　　　　　　

　　ホール効果測定システム　　　　低透磁率計
　　　　　　　　

　　スクラッチ試験機　　　　　半導体パラメータアナライザー
　　　　　　

MEMS・高機能性薄膜作製技術を用いて作製したデバイスをご紹介します！
写真をクリックしていただくと、研究内容が表示されます。

①　圧電MEMS振動発電デバイス　②　MEMSデバイス（聴覚補綴器）
　　　　　　　

③　MEMS超音波センサ　　　　④　高温オイルレス圧力センサ
　　　　　　　　

⑤　強磁性半導体薄膜　　　　　⑥　光学フィルター
　　　　　　

⑦　レアメタルフリー薄膜トランジスタ
　　

MEMS・高機能性薄膜作製技術を用いた企業支援成果をご紹介します！
写真をクリックしていただくと、内容が表示されます。

①　純金「干支メダル（亥）」　　　②　低応力MEMS真空マウンターの開発
　　　　　　　　　　　　　　　　

③　導電性高分子を用いた温度センサ　④　電力線から発電する磁界振動発電デバイスの開発
　　　　　　　　　　　　　　　　　　

⑤　マイクロ流量センサの開発　　　　　　　⑥フォトリソによる金属めっきパターン形成
　　　　　　　　　　　　　　　

⑦半導体ウエハ面内膜厚分布の評価　　　　⑧単結晶薄膜を接合したウェハによる圧電MEMSデバイスの開発
　　　　

⑨当社独自めっきプライマー「メタロイド」による　　⑩レーザーによるMEMS用ウェハ接合の技術開発
　　5G向け製品開発
　　　　　　　　　　　　
⑪異物検査システム
　　　

リンク先の概要説明ファイルは地方独立行政法人大阪産業技術研究所発行の企業支援成果事例集から一部を抜粋。

 ※必要に応じて使用料とは別途、1機器(設備)につき1単位(30分)分の 指導料(2,500円)を頂戴致しております。
※令和元年10月1日より、消費税率引き上げに伴い試験料金が改定されています。