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update 2026/3/25

 半導体基板上で非鉛圧電体の性能向上を実証
～汎用成膜法で多数の条件を同時に評価し実現～

この度、大阪産業技術研究所　電子・機械システム研究部　村上修一室長、山根秀勝研究員と、大阪公立大学大学院工学研究科 吉村 武准教授他との共同研究成果について報道発表いたします。
【研究概要】
　圧電材料は力を加えると電気が生じ、電気を加えると形が変わる性質を持つ材料で、圧力センサーやイヤホンなどに広く用いられています。鉛を使用しない圧電材料として注目されるビスマス鉄酸化物（BiFeO3、BFO）は、圧縮の力により圧電性能が向上することが報告されていましたが、この効果は実用的な半導体基板上では適用が難しいと考えられていました。本研究グループは、引張ひずみを積極的に利用するという発想により、半導体基板上でもBFOの構造相転移を誘起でき、圧電特性を向上させることに成功しました。本研究結果により、非鉛圧電材料の実用化を大きく前進させることが期待されます。
　本研究成果は、2026年3月17日に、国際学術誌「Microsystems & Nanoengineering」にオンライン掲載される予定です。

当研究部電子デバイス研究室の山根 秀勝 研究員、山田義春 主幹研究員、近藤 裕佑 主任研究員、村上 修一 研究室長が第17回集積化MEMSシンポジウム 優秀論文賞を受賞しました。
受賞内容：単結晶シリコン基板のMEMS微細加工によるフレキシブル化とその応用可能性

当研究部電子デバイス研究室の山根 秀勝 研究員、山田義春 主幹研究員、近藤 裕佑 主任研究員、村上 修一 研究室長が第16回集積化MEMSシンポジウム 優秀ポスター賞を受賞しました。
受賞内容：シリコンフォトニック結晶を用いたテラヘルツWR-2.2向け全波長帯域半波長板

大阪大学大学院基礎工学研究科の冨士田誠之先生らとの共同研究の成果について大阪大学より
「６Gやその先の大容量通信に向けたブレイクスルー
ー「偏波」の制御で小型デバイスのテラヘルツ通信容量を倍に！―」
の内容で報道提供がありました。
当研究所 電子デバイス研究室の 村上修一 室長、山田義春 主任研究員、近藤裕佑 主任研究員、山根秀勝 研究員により、
高抵抗シリコン基板を使ったMEMS微細加工技術によりデバイス開発を行い、またデバイス性能のシリコン形状依存性を数値計算により明らかにしました。
ORIST 【報道提供】６Gやその先の大容量通信に向けたブレイクスルー

山根 秀勝 研究員が第４回 プラズモニック化学研究会 若手奨励賞を受賞しました。
受賞内容：ナノスケールにおけるプラズモンと分子・ナノ粒子の相互作用に関する理論的研究