半導体熱処理・拡散・CVD炉
- 装置番号
- A3134
- 構成装置・型番
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| メーカー・名称 | 型番 |
| 光洋サーモシステム株式会社 | 274A(ALP)-M400 |
- ヨミ
- ハンドウタイネツショリロ
- 料金
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34,200円 半日 (消費税10%を含みます)
- 仕様
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| 試料サイズ | 2インチ,3インチ,4インチ径基板 |
| バッチ処理数 | 20枚 |
| 熱酸化炉最高温度 | 1100 °C |
| LPCVD炉 | SIN(780°C),ポリシリコン(600°C) |
- 関連装置
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- 関連資料・リンク
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- 概要
- 本装置は,熱酸化炉とLPCVD炉で構成されています。熱酸化炉は,ドライ酸化,ウエット酸化が可能です。最高温度は1100°Cまで昇温可能であり,ウエット酸化により最大1ミクロンまでのシリコン酸化膜の作製が可能です。LPCVD炉は,SiN(780°C)及び,ポリシリコン(600°C)の成膜が可能です。減圧熱CVDのため,クリーンで緻密なSiN,ポリシリコンの成膜が可能です。当研究所には成膜装置として,本装置以外に,金属薄膜加工用に各種スパッタ装置を用意しております。
- 参考画像
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