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高密度プラズマCVD装置
装置番号
A3152
構成装置・型番
メーカー・名称
型番
神港精機株式会社
ACV1060型
ヨミ
コウミツドプラズマCVDソウチ
料金
14,200円 半日 (消費税10%を含みます)
仕様
到達圧力
8.0×10-5 Pa以下
標準基板寸法範囲
φ100×h200 (mm)×8軸
基板回転
自公転、公転、固定
基板加熱
~350°C
基板パルスバイアスDC電源
容量最大:5 kW 周波数 : 50 ~ 250 kHz
スパッタターゲット
φ100×t5(mm)
使用ガス
Ar, H2, C2H2, TMS
関連装置
(A9362)マグネトロンスパッタ装置
(A8303)多機能真空蒸着装置
(A9239)真空蒸着装置
関連資料・リンク
テクニカルシート(PECVD)
概要
本装置は, プラズマガンと製膜室で構成されています. 本装置では, プラズマ CVD (Chemical Vapor Deposition)法により, プラズマによって原料ガスを分解し, 化学的なプロセスを経て基板上へ薄膜形成を行います. 薄膜形成に必要なエネルギーを熱として供給する熱 CVD 法(基板温度 600°C~1000°C以上)に比べて, 製膜時の基板温度の低温化を図ることができるため, 例えば, プラスチック等の低融点材料にも成膜することができ, 様々な材質の基材への成膜要求に対応することが可能です.
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