投2026-0042

発表論文	Suppression of Si-rich reaction-affected zone formation in silicon nitride/Ti diffusion bonding by friction-induced Ti metallization
発表者名	○園村 浩介、尾﨑 友厚、他
掲載誌/掲載箇所	Ceramics International in press
発表日	2026/9/17

概要

Si3N4のTiインサート拡散接合では、界面反応によりTi-N系およびTi-Si系生成物が形成され、母材側にも反応影響領域が生じる。本研究では、接合前に摩擦Tiメタライズを施し、その抑制効果を調べた。メタライズ層からは約4 at%相当のNが検出され、接合後の暗色反応影響領域は約320 μmから約230 μmへ減少した。EPMA、Raman、XRDの結果から、摩擦TiメタライズによりSi3N4母材側の反応影響領域が縮小することが示された。