本研究では有限波数でBIC(Bound States in the Continuum:連続準位中の束縛状態)を生じる楕円孔三角格子フォトニック結晶スラブにAlGaAs/GaAs量子井戸を組み込み、オフΓ点BICにおける励起子ポラリトンのQ値について理論的に検討した。デバイスの現実的な特性を考慮するため、放射損失を含む非エルミートハミルトニアンのHopfield対角化を行い、その結果、極めて高いQ値(Q=2.96×10^4)が得られることを明らかにした。本構造および励起子パラメータは現行の作製技術で実現可能であり、面内ポラリトニクスや量子状態伝送への応用が期待される。
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