概要
テラヘルツ帯の電磁波は、非破壊検査や生体イメージング、分光分析、さらには次世代通信システム6G/6G以降で利用が検討されるサブテラヘルツ帯を含む周波数資源として注目されている。一方で、この帯域で低損失な伝搬・集積実装を実現する材料・プラットフォームには、従来の金属配線とは異なるアプローチが求められている。その有力候補のひとつが、高抵抗単結晶シリコンと微細加工技術を組み合わせたテラヘルツシリコンフォトニクスである。また、ウェアラブルデバイスや生体センシングの発展により、曲げや伸長に追従可能なフレキシブル/ストレッチャブルデバイスへの需要が高まっている。従来は高分子基板と超薄化シリコン薄膜を組み合わせた構成が主流であったが、基板材料由来の環境耐性や集積プロセスとの整合性には依然として制約が残る。本稿では、これまで我々が開発したMEMS (Micro Electro Mechanical Systems) 微細加工技術を用いた単結晶シリコンウェハのフレキシブル/ストレッチャブル化技術を説明し、その内部構造をテラヘルツ帯の有効媒質として利用し、機械的変形により屈折率を制御するプラットフォームを紹介する。