| 発表題目 |
Investigation on Diffusion Bonding of SiC Ceramics Using Insert Material |
| 発表者名 |
○尾﨑 友厚、他 |
| 発表会名 |
11th International Congress on Ceramics |
| 発表日 |
2026/9/7
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概要
私たちは低い温度でSiCを接合する技術を様々なインサート金属を用いて検討してきました。SiCセラミックスやCMCに対し、インサート材の条件を変えてホットプレスによる接合処理を実施した結果、いくつかの条件で1200°Cの処理温度で堅牢な接合体を得ることに成功しました。特にCu-Ti系のインサート材で高い接合強度が得られており、その接合界面を調査しました。発表では、インサート材を用いて作製したSiC接合体の界面組織について報告し、接合部の堅牢性を確保しながら接合プロセスを低温化するための方法について議論します。