発表題目 |
シリコンフォトニック結晶を用いたテラヘルツ広帯域波長板の理論検討と実証 |
発表者名 |
○山根 秀勝、山田 義春、近藤 裕佑、永廣卓哉、村上 修一、他 |
発表会名 |
第35回光物性研究会 |
発表日 |
2024/12/13
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概要
THz波の偏光制御は、通信技術における偏光多重化や、THzイメージング、キラル分子の分光解析など、多くの分野で期待される。近年、THz帯で広帯域な偏光制御素子として、リング共振器などのメタマテリアルやプリズム型の波長板[5]などが提案されている。テラヘルツ帯域においては素子の大きさや、複雑な作製プロセスを要するなど課題がある。本研究の目的は、高純度な高抵抗シリコン基板のみを用いた単純な構造で簡便な製作プロセスによって、広帯域で高効率な偏光変換を実現することである。フォトリソグラフィとシリコン深掘りエッチング装置を用いて、シリコン基板に微細加工を施すことで2次元の異方性フォトニック結晶を作製し、THz帯の広帯域において半波長板としての性能を実現した。