口2022-0235

発表題目	金属ガラス膜中に異なる手法で導入したAr の存在状態
発表者名	小畠 淳平
発表会名	日本金属学会 第172回講演大会
発表日	2023/3/7

概要

成膜ガスである希ガスの膜への含有とその影響については国内外で研究が進んでおり,成膜時に含有する方法と成膜後に高エネルギーイオン注入により含有させる手法が実施されている。これらの研究のほとんどは膜中の希ガスは気体状態であることを報告しているが、我々のUBMスパッタ法による金属ガラス膜の形成においては、成膜時の基板バイアス電圧により含有した希ガスは固体状態に近いナノクラスターであることが判明している。本研究では、基板バイアス電圧により含有した膜(~300 eV)と成膜後に高エネルギーイオン注入で含有した膜(1.2 MeV)について膜中の希ガスArの存在状態について調査した結果を発表する。