Beyond 5Gに向けたダイヤモンド技術 (7/10)

開会挨拶

地方独立行政法人大阪産業技術研究所　理事長　小林 哲彦

地方独立行政法人大阪産業技術研究所　平井 学　

　Beyond5Gを実現するためには単結晶ダイヤモンドの利用拡大が重要となります。しかし、単結晶ダイヤモンドの実用化には様々な課題があります。大阪技術研では、高温高圧合成法による単結晶ダイヤモンドの不純物量を制御する技術の確立を目指すとともに、将来の材料開発支援環境の整備を進めています。本講演では、その取り組みについて紹介いたします。

招待講演「ダイヤモンド基板を活用したGaN高周波デバイス」

                                                                         　　　　　　　    三菱電機株式会社　滝口 雄貴 氏

　大電力を扱う電子デバイスでは動作時発熱温度上昇が課題となっており、固体物質中で最大の熱伝導率を有するダイヤモンド基板をGaN高周波デバイスに接合し、放熱性を向上させる構造の開発を行っています。本講演では、ダイヤモンド基板適用による放熱性能の向上効果について接合するダイヤモンド種の比較を含めて報告します。

15:25 - 16:25

基調講演「マイクロ波プラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドの作製」

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　国立研究開発法人産業技術総合研究所　山田 英明 氏

　ダイヤモンドは、電気的あるいは熱的に物質中最高水準の物性値を複数有しており、次世代のパワーエレクトロニクスやスピントロニクスなど、広範な分野での応用が期待されています。本講演では、ガスを原料とするマイクロ波プラズマCVDを用いて、単結晶ダイヤモンドの大型化技術への取り組みについて報告します。