口2025-0215

発表題目	インサート金属を用いたSiC基材の接合技術とTEMによる界面解析
発表者名	○尾﨑 友厚、他
発表会名	Mate+「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」シンポジウム+
発表日	2025/12/9

概要

SiCセラミックスは高温構造材料として耐酸化性、熱安定性に優れた特性を持ちます。SiC製の大型、複雑形状部品の作製には、SiCを接合するための技術が必要であり、使いやすい接合技術とするためには、熱処理の低温化、短時間化が課題となります。私たちはプロセスの低温化のため、様々なインサート材でホットプレスによる接合処理を検討し、その接合界面をTEMによって調査しました。発表ではTEMによる接合界面の解析結果、SiC系での液相拡散接合現象について報告します。