発表題目 |
磁歪材料探索のハイスループット評価手法の検討 |
発表者名 |
山田 義春 |
発表会名 |
第15回集積化MEMS技術研究ワークショップ |
発表日 |
2024/7/30
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概要
材料開発では、試料の作製、評価を繰り返す試行錯誤的な調整が必要であり、ハイスループット化が求められている。本研究では、磁歪薄膜を題材として、微細加工技術を活かしたハイスループットな評価手法の検討を行った。シリコンウエハ上にTa2O5をスパッタ製膜し、さらにFeとTbからなる2元合金で組成勾配のある薄膜をスパッタ法によって作製した。それぞれの膜に対するエッチング、シリコンの深堀エッチングを行って組成勾配膜の両持ち梁が並んでいる構造を作製した。磁歪量の評価には、両持ち梁の座屈によって起こる面直方向の撓みをレーザー顕微鏡で測定することで評価し、磁場の有無による違いを検出することができた。