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投2019-0010

発表論文 人工磁性体における斜入射時の反射係数測定
発表者名 ○伊藤 盛通、他
掲載誌/掲載箇所

電子情報通信学会技術研究報告

発表日

2019/5/10

概要


"人工磁性体を電磁環境対策デバイスとして実用化するためには、斜入射時の特性について把握しておく必要がある.また、スプリットリング共振器の配列構造を均一媒質とみなし、等価的な誘電率や透磁率から伝送線路理論を元に特性を予測できれば、特性の異なる単位構造や試料を組み合わせることで所望の動作を事前に設計できるようになる. これらの背景から、斜入射時の反射係数を測定し、伝送線路理論に基づいた計算値と比較した.その結果、本研究にて用いられた人工磁性体試料の斜入射特性は均一媒質のように扱えることがわかった.また、インピーダンスが異なる試料を積層させインピーダンス整合を改善できることも実証した."