地方独立行政法人大阪産業技術研究所 - 当法人は、(地独)大阪府立産業技術総合研究所と(地独)大阪市立工業研究所が統合し、平成29年4月1日にスタートしました。研究開発から製造まで、企業の開発ステージに応じた支援を一気通貫で提供し、大阪産業の更なる飛躍に向け、大阪発のイノベーションを創出します。

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投2018-0076

発表論文 Investigation on the gate insulator thickness dependence of ZnO–SnO2 thin film transistors
発表者名 ○佐藤 和郎、山田 義春、金岡 祐介、村上 修一、筧 芳治、櫻井 芳昭
掲載誌/掲載箇所

Japanese Journal of Applied Physics
58, (2019) 038004

発表日

2019/04/30

概要


近年、透明アモルファス酸化物半導体は、薄膜トランジスタのチャネル材料として精力的に研究されている。アモルファス透明酸化物半導体の中でも、InGaZnO(IGZO)は、その優れた特性から広く研究が行われているが、レアメタルを含むという課題がある。ZnO-SnO2(ZTO)は、安価で毒性の無い元素から構成される新規の透明アモルファス酸化物半導体である。本研究では、ZTOをチャネル材料として用いた薄膜トランジスタのゲート絶縁膜厚依存性について調べた。その結果、低温プロセスでTFTを作製し、正常に駆動させるためには、的確なゲート絶縁膜厚が必要であることがわかった。