地方独立行政法人大阪産業技術研究所 - 当法人は、(地独)大阪府立産業技術総合研究所と(地独)大阪市立工業研究所が統合し、平成29年4月1日にスタートしました。研究開発から製造まで、企業の開発ステージに応じた支援を一気通貫で提供し、大阪産業の更なる飛躍に向け、大阪発のイノベーションを創出します。

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口2019-0184

発表題目 フレキシブル基板上に作製したZnO-SnO2薄膜トランジスタの特性評価
発表者名 ○佐藤 和郎、村上 修一、金岡 祐介、山田 義春、筧 芳治、近藤 裕佑、櫻井 芳昭
発表会名 2019年日本表面真空学会学術講演会
発表日

2019/10/28

概要


フレキシブルディスプレイやバイオセンサーを実現するためには、フレキシブル基板上への薄膜トランジスタ(TFT)の作製が必要不可欠である。一方で、近年TFTのチャネル材料として、アモルファス酸化物半導体が、注目されている。その中でも、ZnO-SnO2(ZTO)は、可視光領域で透過率が高く、低温で成膜しても比較的高いHall移動度を示すという特徴を有する。また、安価で環境に負荷をかけない元素で構成されている事もあり、新規のTFTチャネル材料として期待されている。本研究では、マグネトロンスパッタリング法を用いて作製したZTOを用いてフレキシブル基板上にTFTを作製し、その特性を評価した。