地方独立行政法人大阪産業技術研究所 - 当法人は、(地独)大阪府立産業技術総合研究所と(地独)大阪市立工業研究所が統合し、平成29年4月1日にスタートしました。研究開発から製造まで、企業の開発ステージに応じた支援を一気通貫で提供し、大阪産業の更なる飛躍に向け、大阪発のイノベーションを創出します。

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口2019-0137

発表題目 Fabrication of ZnO-SnO2 Thin Film Transistors on Flexible Substrates
発表者名 ○佐藤 和郎、村上 修一、金岡 祐介、山田 義春、筧 芳治、近藤 裕佑、櫻井 芳昭、他
発表会名 20th International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia (IUMRS-ICA2019)
発表日

2019/9/22

概要


近年、透明アモルファス酸化物半導体が薄膜トランジスタのチャネル材料として精力的に研究されている。ZnO-SnO2(ZTO)は、環境に調和し安価な元素で構成されている新規のアモルファス酸化物半導体である。加えて、ZTOは、可視光領域で透過率が高く、室温で成膜してもHall移動度が高いという特徴を持つ。本研究では、フレキシブル基板であるポリイミドや超薄板ガラス上にZTOをチャネル材料として用いた薄膜トランジスタを作製し、その特性を評価した。その結果、これらの基板上に作製した薄膜トランジスタは、正常に動作することがわかった。