地方独立行政法人大阪産業技術研究所 - 当法人は、(地独)大阪府立産業技術総合研究所と(地独)大阪市立工業研究所が統合し、平成29年4月1日にスタートしました。研究開発から製造まで、企業の開発ステージに応じた支援を一気通貫で提供し、大阪産業の更なる飛躍に向け、大阪発のイノベーションを創出します。

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口2019-0028

発表題目 人工磁性体における斜入射時の反射係数測定
発表者名 ○伊藤 盛通、他
発表会名 環境電磁工学研究会(EMCJ)2019年5月期研究会
発表日

2019/5/10

概要


ブロードサイド結合型スプリットリング共振器構造を用いた人工磁性体を、電磁環境対策デバイスとして実用化するため、斜入射時の特性についてTE入射、TM入射の場合に分けて測定し、伝送線路理論に基づいた計算値と比較した.その結果、本研究にて用いた人工磁性体試料の斜入射特性は均一媒質のように扱えること、TM入射時の準ブリュースター角がおよそ68°であることを明らかにした.また、インピーダンスが異なる試料を積層させ整合を調整した結果、斜入射時にも反射係数のピークが-20dB以下と良好な値になった.これらの実験結果から、異なる試料を組み合わせることで斜入射特性の調整ができることを示した。